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IRF7807VD2PbF
Electrical Characteristics
Parameter
Min
Typ
Max
Units
Conditions
Drain-to-Source
Breakdown Voltage
Static Drain-Source
BV DSS
R DS(on)
30
–
17
–
25
V
m ?
V GS = 0V, I D = 250μA
V GS = 4.5V, I D = 7.0A ?
on Resistance
Gate Threshold Voltage
Drain-Source Leakage
Current
Current*
V GS(th)
I DSS
1.0
50
6.0
V
μA
mA
V DS = V GS ,I D = 250μA
V DS = 24V, V GS = 0
V DS = 24V, V GS = 0,
Tj = 100°C
Gate-Source Leakage
Current*
I GSS
±100
nA
V GS = ±20V
Total Gate Charge*
Pre-Vth
Gate-Source Charge
Post-Vth
Gate-Source Charge
Gate to Drain Charge
Switch Chg(Q gs2 + Q gd )
Output Charge*
Gate Resistance
Turn-on Delay Time
Q G
Q GS1
Q GS2
Q GD
Q sw
Q oss
R G
t d (on)
9.5
2.3
1.0
2.4
3.4
12
2.0
6.3
14
5.2
16.8
nC
?
V GS =4.5V, I D =7.0A
V DS = 16V
V DS = 16V, V GS = 0
V DD = 16V, I D = 7.0A
Rise Time
t r
1.2
ns
V GS = 5V, R G = 2 ?
Turn-off Delay Time
Fall Time
t d
t f
(off)
11
2.2
Resistive Load
Schottky Diode & Body Diode Ratings and Characteristics
Parameter
Diode Forward Voltage
V SD
Min
Typ
Max
0.54
Units Conditions
V T j = 25°C, I s = 3.0A, V GS =0V ?
0.43
T j = 125°C, I s = 3.0A, V GS =0V ?
Reverse Recovery Time
trr
36
ns T j = 25°C, I s = 7.0A, V DS = 16V
Reverse Recovery Charge
Qrr
41
nC
di/dt = 100A/μs
Forward Turn-On Time
t on
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L S +L D )
Notes:
2
?
?
?
?
?
*
Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature.
Pulse width ≤ 400 μs; duty cycle ≤ 2%.
When mounted on 1 inch square copper board
50% Duty Cycle, Rectangular
Typical values of R DS (on) measured at V GS = 4.5V, Q G , Q SW and Q OSS
measured at V GS = 5.0V, I F = 7.0A.
Device are 100% tested to these parameters.
www.irf.com
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